Dual N/P-Channel MOSFET, 6.8 A, 9 A, 30 V, 8-Pin PDI3333 Diodes Inc DMC3016LNS-7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A, 9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PDI3333
Series
DMC3016LNS
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ, 38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2 V, 2.4 V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2 V, 1.4 V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.7 nC @ 15 V, 21 nC @ 15 V
Width
3.15mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,068
1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,084
1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
20
€ 0,068
1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,084
1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
20
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A, 9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PDI3333
Series
DMC3016LNS
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ, 38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2 V, 2.4 V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2 V, 1.4 V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.7 nC @ 15 V, 21 nC @ 15 V
Width
3.15mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.