N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Diodes Inc DMNH4005SCT
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Length
10.66mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.82mm
Series
DMN
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,10
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,604
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 2,10
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,604
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,10 | € 105,00 |
| 100+ | € 1,95 | € 97,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Length
10.66mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.82mm
Series
DMN
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.