N-Channel MOSFET, 7.5 A, 40 V, 8-Pin SO Diodes Inc DMNH4026SSD-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SO
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.1 @ 10 V nC
Width
3.95mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
1.5mm
Series
DMN
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,125
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,155
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 0,125
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,155
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SO
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.1 @ 10 V nC
Width
3.95mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
1.5mm
Series
DMN
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.