P-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 8-Pin V-DFN3333 Diodes Inc DMP3007SCG-7

RS tilauskoodi: 146-4725Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: DMP3007SCG-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

V-DFN3333

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

13 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.4 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Width

3.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

64.2 nC @ 10 V

Height

0.78mm

Series

DMP

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,328

1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,407

1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 8-Pin V-DFN3333 Diodes Inc DMP3007SCG-7

€ 0,328

1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,407

1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 8-Pin V-DFN3333 Diodes Inc DMP3007SCG-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

V-DFN3333

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

13 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.4 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Width

3.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

64.2 nC @ 10 V

Height

0.78mm

Series

DMP

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.