P-Channel MOSFET, 4.2 A, 60 V, 6-Pin U-DFN2020 Diodes Inc DMP6110SFDF-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
U-DFN2020
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.97 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.2 @ 10 V nC
Width
2.05mm
Number of Elements per Chip
1
Series
DMP
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
0.58mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,12
1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,149
1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
100
€ 0,12
1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,149
1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
100
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
U-DFN2020
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.97 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.2 @ 10 V nC
Width
2.05mm
Number of Elements per Chip
1
Series
DMP
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
0.58mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.