onsemi FGD3440G2-F085 IGBT, 26.9 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

RS tilauskoodi: 807-0776Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: FGD3440G2-F085
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

26.9 A

Maximum Collector Emitter Voltage

300 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±10V

Maximum Power Dissipation

166 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Automotive Standard

AEC-Q100

Tuotetiedot

Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor

These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,65

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,046

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi FGD3440G2-F085 IGBT, 26.9 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,65

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 2,046

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi FGD3440G2-F085 IGBT, 26.9 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 1,65€ 8,25
50 - 95€ 1,50€ 7,50
100+€ 1,20€ 6,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

26.9 A

Maximum Collector Emitter Voltage

300 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±10V

Maximum Power Dissipation

166 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Automotive Standard

AEC-Q100

Tuotetiedot

Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor

These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.