Fuji Electric 2MBI100U4A-120-50 Series IGBT Module, 100 A 1200 V, 7-Pin M232, Panel Mount

RS tilauskoodi: 462-821Tuotemerkki: Fuji ElectricValmistajan osanumero.: 2MBI100U4A-120-50
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

540 W

Package Type

M232

Configuration

Series

Mounting Type

Panel Mount

Channel Type

N

Pin Count

7

Transistor Configuration

Series

Dimensions

92 x 34 x 30mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 98,00

kpl (ilman ALV)

€ 121,52

kpl (Sis ALV:n)

Fuji Electric 2MBI100U4A-120-50 Series IGBT Module, 100 A 1200 V, 7-Pin M232, Panel Mount

€ 98,00

kpl (ilman ALV)

€ 121,52

kpl (Sis ALV:n)

Fuji Electric 2MBI100U4A-120-50 Series IGBT Module, 100 A 1200 V, 7-Pin M232, Panel Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 98,00
5 - 9€ 76,00
10 - 24€ 67,50
25+€ 64,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

540 W

Package Type

M232

Configuration

Series

Mounting Type

Panel Mount

Channel Type

N

Pin Count

7

Transistor Configuration

Series

Dimensions

92 x 34 x 30mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.