Fuji Electric 2MBI200U4B-120-50 Series IGBT Module, 200 A 1200 V, 7-Pin M233, Panel Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Fuji ElectricMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
1.04 kW
Package Type
M233
Configuration
Series
Mounting Type
Panel Mount
Channel Type
N
Pin Count
7
Transistor Configuration
Series
Dimensions
92 x 45 x 30mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 110,00
kpl (ilman ALV)
€ 136,40
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 110,00
kpl (ilman ALV)
€ 136,40
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 1 | € 110,00 |
| 2 - 4 | € 99,00 |
| 5 - 9 | € 94,50 |
| 10 - 19 | € 91,50 |
| 20+ | € 89,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Fuji ElectricMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
1.04 kW
Package Type
M233
Configuration
Series
Mounting Type
Panel Mount
Channel Type
N
Pin Count
7
Transistor Configuration
Series
Dimensions
92 x 45 x 30mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.