Fuji Electric 6MBI75U4B-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 1200 V, 35-Pin M633, PCB Mount

RS tilauskoodi: 462-833Tuotemerkki: Fuji ElectricValmistajan osanumero.: 6MBI75U4B-120-50
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

390 W

Package Type

M633

Configuration

3 Phase Bridge

Mounting Type

PCB Mount

Channel Type

N

Pin Count

35

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensions

122 x 62 x 17mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

IGBT Modules 6-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 125,00

kpl (ilman ALV)

€ 155,00

kpl (Sis ALV:n)

Fuji Electric 6MBI75U4B-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 1200 V, 35-Pin M633, PCB Mount

€ 125,00

kpl (ilman ALV)

€ 155,00

kpl (Sis ALV:n)

Fuji Electric 6MBI75U4B-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 1200 V, 35-Pin M633, PCB Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 125,00
5 - 9€ 112,00
10 - 24€ 107,00
25+€ 104,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

390 W

Package Type

M633

Configuration

3 Phase Bridge

Mounting Type

PCB Mount

Channel Type

N

Pin Count

35

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensions

122 x 62 x 17mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

IGBT Modules 6-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.