Fuji Electric FGW50N60VD IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS tilauskoodi: 146-1726Tuotemerkki: Fuji ElectricValmistajan osanumero.: FGW50N60VD
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

360 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.9 x 5.03 x 20.95mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 9,90

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 12,276

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Fuji Electric FGW50N60VD IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

€ 9,90

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 12,276

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Fuji Electric FGW50N60VD IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

360 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.9 x 5.03 x 20.95mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.