Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 Infineon 2N7002DWH6327XTSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.25mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.4 nC @ 10 V
Height
0.8mm
Series
OptiMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,086
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,107
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,086
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,107
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,086 | € 258,00 |
| 6000 - 12000 | € 0,082 | € 246,00 |
| 15000+ | € 0,078 | € 234,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.25mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.4 nC @ 10 V
Height
0.8mm
Series
OptiMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.