Infineon BFR35APE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 45 mA, 15 V, 3-Pin SOT-23
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
45 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
5 GHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Tuotetiedot
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,118
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,146
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,118
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,146
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,118 | € 354,00 |
| 6000 - 6000 | € 0,111 | € 333,00 |
| 9000+ | € 0,105 | € 315,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
45 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
5 GHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Tuotetiedot
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.