N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon BSC009NE2LS5IATMA1

RS tilauskoodi: 133-9881Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSC009NE2LS5IATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

74 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+16 V

Width

6.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Length

5.49mm

Height

1.1mm

Series

OptiMOS 5

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.62V

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,50

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,10

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon BSC009NE2LS5IATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,50

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,10

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon BSC009NE2LS5IATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 2,50€ 12,50
25 - 45€ 2,25€ 11,25
50 - 120€ 2,10€ 10,50
125 - 245€ 1,95€ 9,75
250+€ 1,80€ 9,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

74 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+16 V

Width

6.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Length

5.49mm

Height

1.1mm

Series

OptiMOS 5

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.62V

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.