N-Channel MOSFET, 1.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP295H6327XTSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.5mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.5mm
Height
1.6mm
Series
SIPMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,418
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,518
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 0,418
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,518
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,418 | € 418,00 |
| 2000 - 2000 | € 0,397 | € 397,00 |
| 3000+ | € 0,372 | € 372,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.5mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.5mm
Height
1.6mm
Series
SIPMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.