Infineon 650V 6A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220 IDH06G65C5XKSA1

RS tilauskoodi: 133-9889Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IDH06G65C5XKSA1
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-220

Maximum Continuous Forward Current

6A

Peak Reverse Repetitive Voltage

650V

Diode Configuration

Single

Diode Type

SiC Schottky

Pin Count

2 + Tab

Maximum Forward Voltage Drop

2.1V

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

SiC Schottky

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

54A

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon

The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.

Diodes and Rectifiers, Infineon

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,55

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,922

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon 650V 6A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220 IDH06G65C5XKSA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,55

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,922

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon 650V 6A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220 IDH06G65C5XKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-220

Maximum Continuous Forward Current

6A

Peak Reverse Repetitive Voltage

650V

Diode Configuration

Single

Diode Type

SiC Schottky

Pin Count

2 + Tab

Maximum Forward Voltage Drop

2.1V

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

SiC Schottky

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

54A

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon

The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.

Diodes and Rectifiers, Infineon