Infineon 1200V 15A, SiC Schottky Diode, 2-Pin TO-220 IDH15S120
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMounting Type
Through Hole
Package Type
TO-220
Maximum Continuous Forward Current
15A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1200V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
High Voltage
Diode Type
SiC Schottky
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
2.55V
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
78A
Alkuperämaa
Singapore
Tuotetiedot
thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 15,80
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 19,592
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 15,80
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 19,592
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMounting Type
Through Hole
Package Type
TO-220
Maximum Continuous Forward Current
15A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1200V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
High Voltage
Diode Type
SiC Schottky
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
2.55V
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
78A
Alkuperämaa
Singapore
Tuotetiedot
thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.