Infineon IGW40N60TPXKSA1 IGBT, 67 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS tilauskoodi: 133-9877Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IGW40N60TPXKSA1
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

67 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

246 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

1400pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.67mJ

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,60

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,984

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon IGW40N60TPXKSA1 IGBT, 67 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,60

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,984

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon IGW40N60TPXKSA1 IGBT, 67 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

67 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

246 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

30kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

1400pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.67mJ

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.