N-Channel MOSFET, 10.1 A, 650 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA65R650CEXKSA1

RS tilauskoodi: 133-9810Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPA65R650CEXKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10.1 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

86 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.65mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Height

16.15mm

Series

CoolMOS

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,458

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,568

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10.1 A, 650 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA65R650CEXKSA1
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 2,29
10€ 4,58
15€ 6,87
20€ 9,16
25€ 11,45
30€ 13,74
35€ 16,03
40€ 18,32
45€ 20,61
50€ 22,90
55€ 25,19
60€ 27,48
65€ 29,77
70€ 32,06
75€ 34,35

€ 0,458

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,568

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10.1 A, 650 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA65R650CEXKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 2,29
10€ 4,58
15€ 6,87
20€ 9,16
25€ 11,45
30€ 13,74
35€ 16,03
40€ 18,32
45€ 20,61
50€ 22,90
55€ 25,19
60€ 27,48
65€ 29,77
70€ 32,06
75€ 34,35

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10.1 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

86 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.65mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Height

16.15mm

Series

CoolMOS

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja