N-Channel MOSFET Transistor, 88 A, 200 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP110N20N3GXKSA1

RS tilauskoodi: 911-4899Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPP110N20N3GXKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

88 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

11 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.57mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Height

9.45mm

Series

OptiMOS 3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

Germany

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,20

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 7,688

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor, 88 A, 200 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP110N20N3GXKSA1

€ 6,20

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 7,688

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor, 88 A, 200 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP110N20N3GXKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

88 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

11 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.57mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Height

9.45mm

Series

OptiMOS 3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

Germany

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.