N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3206PBF

RS tilauskoodi: 124-8962Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFB3206PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

210 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.83mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Height

9.02mm

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,40

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,736

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3206PBF

€ 1,40

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,736

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3206PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
50 - 50€ 1,40€ 70,00
100 - 200€ 1,25€ 62,50
250 - 450€ 1,15€ 57,50
500 - 950€ 1,10€ 55,00
1000+€ 1,10€ 55,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

210 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.83mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Height

9.02mm

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.