N-Channel MOSFET, 160 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3306PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
160 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
HEXFET
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.66mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Height
9.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,783
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 0,971
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 0,783
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 0,971
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
160 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
HEXFET
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.66mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Height
9.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Philippines
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.