N-Channel MOSFET, 37 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227B IXYS IXFN44N100P

RS tilauskoodi: 125-8044Tuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: IXFN44N100P
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

37 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Package Type

SOT-227B

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

220 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

6.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

890 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

25.07mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

305 nC @ 10 V

Height

9.6mm

Series

Polar HiPerFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Alkuperämaa

Philippines

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 31,40

kpl (ilman ALV)

€ 38,94

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 37 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227B IXYS IXFN44N100P

€ 31,40

kpl (ilman ALV)

€ 38,94

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 37 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227B IXYS IXFN44N100P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 1€ 31,40
2 - 4€ 28,30
5 - 9€ 27,00
10 - 14€ 26,10
15+€ 25,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

37 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Package Type

SOT-227B

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

220 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

6.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

890 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

25.07mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

305 nC @ 10 V

Height

9.6mm

Series

Polar HiPerFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Alkuperämaa

Philippines

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS