IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount

RS tilauskoodi: 146-1698Tuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: MUBW50-06A7
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Configuration

3 Phase Bridge

Mounting Type

PCB Mount

Channel Type

N

Pin Count

23

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensions

107.5 x 45 x 17mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Tuotetiedot

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 70,50

1 kpl (6 kpl/laatikko) (ilman ALV)

€ 87,42

1 kpl (6 kpl/laatikko) (Sis ALV:n)

IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount

€ 70,50

1 kpl (6 kpl/laatikko) (ilman ALV)

€ 87,42

1 kpl (6 kpl/laatikko) (Sis ALV:n)

IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Laatikko
6 - 24€ 70,50€ 423,00
30 - 54€ 65,50€ 393,00
60+€ 63,00€ 378,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Configuration

3 Phase Bridge

Mounting Type

PCB Mount

Channel Type

N

Pin Count

23

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensions

107.5 x 45 x 17mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Tuotetiedot

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.