Renesas BD679 NPN Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

RS tilauskoodi: 109-084Tuotemerkki: Renesas ElectronicsValmistajan osanumero.: BD679
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

4 A

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

SOT-32

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

750

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

0.2mA

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

10.8mm

Dimensions

7.8 x 2.7 x 10.8mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

7.8mm

Width

2.7mm

Tuotetiedot

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,56

kpl (ilman ALV)

€ 0,69

kpl (Sis ALV:n)

Renesas BD679 NPN Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,56

kpl (ilman ALV)

€ 0,69

kpl (Sis ALV:n)

Renesas BD679 NPN Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 1€ 0,56
2 - 4€ 0,53
5 - 9€ 0,52
10 - 24€ 0,51
25+€ 0,48

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

4 A

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

SOT-32

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

750

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

0.2mA

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

10.8mm

Dimensions

7.8 x 2.7 x 10.8mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

7.8mm

Width

2.7mm

Tuotetiedot

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.