Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX3008CBKV,115

RS tilauskoodi: 816-0567Tuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: NX3008CBKV,115
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

220 mA, 400 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-666

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

2.8 Ω, 7.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.52 nC @ 4.5 V, 0.55 nC @ 4.5 V

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.6mm

Alkuperämaa

Hong Kong

Tuotetiedot

Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,347

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,43

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX3008CBKV,115
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,347

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,43

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia NX3008CBKV,115
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

220 mA, 400 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-666

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

2.8 Ω, 7.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.52 nC @ 4.5 V, 0.55 nC @ 4.5 V

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.6mm

Alkuperämaa

Hong Kong

Tuotetiedot

Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja