3 P-Channel MOSFET, -5.7 A, -20 V, 6-Pin SC-74, SOT457 Nexperia PMN27XPEAX

RS tilauskoodi: 153-0736Tuotemerkki: NexperiaValmistajan osanumero.: PMN27XPEAX
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

-5.7 A

Maximum Drain Source Voltage

-20 V

Package Type

SC-74, SOT457

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

64 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

-1.25V

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.75V

Maximum Power Dissipation

8330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

1.7mm

Number of Elements per Chip

3

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,15

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,186

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

3 P-Channel MOSFET, -5.7 A, -20 V, 6-Pin SC-74, SOT457 Nexperia PMN27XPEAX

€ 0,15

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,186

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

3 P-Channel MOSFET, -5.7 A, -20 V, 6-Pin SC-74, SOT457 Nexperia PMN27XPEAX
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

-5.7 A

Maximum Drain Source Voltage

-20 V

Package Type

SC-74, SOT457

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

64 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

-1.25V

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.75V

Maximum Power Dissipation

8330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Width

1.7mm

Number of Elements per Chip

3

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C