onsemi 2N6052G PNP Darlington Transistor, 12 A 100 V HFE:100, 2-Pin TO-204
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-204
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
2
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Height
8.51mm
Width
26.67mm
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Length
39.37mm
Tuotetiedot
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 8,30
Each (In a Tray of 100) (ilman ALV)
€ 10,292
Each (In a Tray of 100) (Sis ALV:n)
100
€ 8,30
Each (In a Tray of 100) (ilman ALV)
€ 10,292
Each (In a Tray of 100) (Sis ALV:n)
100
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-204
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
2
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Height
8.51mm
Width
26.67mm
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Length
39.37mm
Tuotetiedot
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.