onsemi 2N6667G PNP Darlington Transistor, 10 A 60 V HFE:1000, 3-Pin TO-220AB

RS tilauskoodi: 145-3154Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: 2N6667G
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

PNP

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4.5 V dc

Maximum Collector Base Voltage

60 V dc

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V dc

Height

15.75mm

Width

4.82mm

Maximum Power Dissipation

65 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Dimensions

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.28mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,10

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,364

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi 2N6667G PNP Darlington Transistor, 10 A 60 V HFE:1000, 3-Pin TO-220AB

€ 1,10

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,364

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi 2N6667G PNP Darlington Transistor, 10 A 60 V HFE:1000, 3-Pin TO-220AB
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
50 - 50€ 1,10€ 55,00
100+€ 0,833€ 41,65

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

PNP

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4.5 V dc

Maximum Collector Base Voltage

60 V dc

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V dc

Height

15.75mm

Width

4.82mm

Maximum Power Dissipation

65 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Dimensions

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.28mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja