onsemi BDW94CF PNP Darlington Transistor, -12 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220F
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-2 V
Maximum Collector Cut-off Current
-100 μA, -1 mA
Height
15.95mm
Width
4.5mm
Maximum Power Dissipation
80 W
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
9.9mm
Tuotetiedot
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,35
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 1,35
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,35 | € 67,50 |
| 100+ | € 1,25 | € 62,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-2 V
Maximum Collector Cut-off Current
-100 μA, -1 mA
Height
15.95mm
Width
4.5mm
Maximum Power Dissipation
80 W
Dimensions
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
9.9mm
Tuotetiedot
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.