Dual N-Channel MOSFET, 211 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D4N03

RS tilauskoodi: 146-4094Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: FDMS1D4N03S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

211 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PQFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.09 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

74 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±16 V

Width

5.85mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

102 nC @ 10 V

Height

1.05mm

Series

PowerTrench

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,366

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,454

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 211 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D4N03
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,366

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,454

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 211 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D4N03
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

211 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PQFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.09 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

74 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±16 V

Width

5.85mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

102 nC @ 10 V

Height

1.05mm

Series

PowerTrench

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor