Dual N-Channel MOSFET, 218 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D5N03

RS tilauskoodi: 146-3375Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: FDMS1D5N03
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

218 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PQFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±16 V

Width

5.85mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

99 @ 10 V nC

Height

1.05mm

Series

PowerTrench

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,771

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,956

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 218 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D5N03

€ 0,771

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,956

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 218 A, 30 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS1D5N03
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

218 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PQFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±16 V

Width

5.85mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

99 @ 10 V nC

Height

1.05mm

Series

PowerTrench

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor