Dual N-Channel MOSFET, 151 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86180
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
151 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
PQFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
138 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 @ 10 V nC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
6mm
Number of Elements per Chip
2
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
1.05mm
Series
PowerTrench
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,70
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,348
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 2,70
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,348
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 2,70 | € 27,00 |
| 100 - 490 | € 2,25 | € 22,50 |
| 500 - 990 | € 2,05 | € 20,50 |
| 1000 - 1490 | € 1,75 | € 17,50 |
| 1500+ | € 1,70 | € 17,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
151 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
PQFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
138 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 @ 10 V nC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
6mm
Number of Elements per Chip
2
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
1.05mm
Series
PowerTrench
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.