Dual N-Channel MOSFET, 78 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86182

RS tilauskoodi: 146-4090Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: FDMS86182
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

78 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

PQFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

7.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

26 @ 10 V nC

Width

5.85mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

1.05mm

Series

PowerTrench

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,30

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,612

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 78 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86182
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,30

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,612

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 78 A, 100 V, 8-Pin PQFN onsemi FDMS86182
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 1,30€ 13,00
100 - 490€ 1,05€ 10,50
500 - 990€ 0,795€ 7,95
1000 - 1490€ 0,719€ 7,19
1500+€ 0,701€ 7,01

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

78 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

PQFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

7.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

26 @ 10 V nC

Width

5.85mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

1.05mm

Series

PowerTrench

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor