onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

RS tilauskoodi: 163-0033Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: MJ11012G
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

TO-204AA

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

2

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

200

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

5 V

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Height

8.51mm

Maximum Power Dissipation

200 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Dimensions

21.08 (Dia.) x 8.51mm

Maximum Operating Temperature

+200 °C

Tuotetiedot

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,10

Each (In a Tray of 100) (ilman ALV)

€ 7,564

Each (In a Tray of 100) (Sis ALV:n)

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

€ 6,10

Each (In a Tray of 100) (ilman ALV)

€ 7,564

Each (In a Tray of 100) (Sis ALV:n)

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

TO-204AA

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

2

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

200

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

5 V

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Height

8.51mm

Maximum Power Dissipation

200 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Dimensions

21.08 (Dia.) x 8.51mm

Maximum Operating Temperature

+200 °C

Tuotetiedot

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja