onsemi NGTB30N120LWG IGBT, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
260 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 5,20
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 6,448
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 5,20
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 6,448
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 5,20 | € 156,00 |
| 60 - 120 | € 4,95 | € 148,50 |
| 150 - 270 | € 4,75 | € 142,50 |
| 300 - 570 | € 4,30 | € 129,00 |
| 600+ | € 3,80 | € 114,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
260 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.