onsemi NGTB40N120S3W IGBT, 160 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS tilauskoodi: 134-9506Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NGTB40N120S3WG
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

160 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

454 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Common Emitter

Dimensions

16.25 x 5.3 x 21.34mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

4912pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Tuotetiedot

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,00

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 6,20

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi NGTB40N120S3W IGBT, 160 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

€ 5,00

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 6,20

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi NGTB40N120S3W IGBT, 160 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
30 - 120€ 5,00€ 150,00
150 - 270€ 4,35€ 130,50
300+€ 4,15€ 124,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

160 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

454 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Common Emitter

Dimensions

16.25 x 5.3 x 21.34mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

4912pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Tuotetiedot

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.