N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V, 4+Tab-Pin DFN onsemi NTMFS5C426NTG

RS tilauskoodi: 126-3473Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: NTMFS5C426NT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

235 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4+Tab

Maximum Drain Source Resistance

1.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

128 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Height

1.05mm

Series

NTMFS5C426N

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,45

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,038

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V, 4+Tab-Pin DFN onsemi NTMFS5C426NTG

€ 2,45

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,038

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V, 4+Tab-Pin DFN onsemi NTMFS5C426NTG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 95€ 2,45€ 12,25
100 - 495€ 1,55€ 7,75
500 - 995€ 1,35€ 6,75
1000 - 1495€ 1,15€ 5,75
1500+€ 1,05€ 5,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

235 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4+Tab

Maximum Drain Source Resistance

1.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

128 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Height

1.05mm

Series

NTMFS5C426N

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V