Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
235 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4+Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
128 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Height
1.05mm
Series
NTMFS5C426N
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,45
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,038
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 2,45
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,038
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
---|---|---|
5 - 95 | € 2,45 | € 12,25 |
100 - 495 | € 1,55 | € 7,75 |
500 - 995 | € 1,35 | € 6,75 |
1000 - 1495 | € 1,15 | € 5,75 |
1500+ | € 1,05 | € 5,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
235 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4+Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
128 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Height
1.05mm
Series
NTMFS5C426N
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V