ROHM 2SC5661T2L NPN Transistor, 50 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
20 V
Package Type
SOT-723
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum DC Current Gain
82
Transistor Configuration
Common Emitter
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
3 V
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1.2 x 0.8 x 0.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,122
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,151
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
€ 0,122
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,151
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,122 | € 6,10 |
| 250 - 450 | € 0,106 | € 5,30 |
| 500 - 2450 | € 0,096 | € 4,80 |
| 2500+ | € 0,09 | € 4,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
20 V
Package Type
SOT-723
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum DC Current Gain
82
Transistor Configuration
Common Emitter
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
3 V
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1.2 x 0.8 x 0.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.