STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

RS tilauskoodi: 686-8376PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STGP10NC60KD
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,15

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 1,426

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,15

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 1,426

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
5 - 20€ 1,15€ 5,75
25 - 45€ 0,903€ 4,52
50 - 95€ 0,80€ 4,00
100 - 245€ 0,691€ 3,46
250+€ 0,663€ 3,32

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.