MOSFET Transistor Toshiba TK100A10N1,S4X(S

RS tilauskoodi: 827-6094Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK100A10N1,S4X(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220SIS

Maximum Drain Source Resistance

3,8 mΩ

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC při 10 V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,40

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,216

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

MOSFET Transistor Toshiba TK100A10N1,S4X(S
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,40

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,216

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

MOSFET Transistor Toshiba TK100A10N1,S4X(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 18€ 3,40€ 6,80
20 - 38€ 3,00€ 6,00
40 - 98€ 2,65€ 5,30
100 - 498€ 2,45€ 4,90
500+€ 2,35€ 4,70

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220SIS

Maximum Drain Source Resistance

3,8 mΩ

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC při 10 V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba