Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,40
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,216
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 3,40
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,216
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
---|---|---|
2 - 18 | € 3,40 | € 6,80 |
20 - 38 | € 3,00 | € 6,00 |
40 - 98 | € 2,65 | € 5,30 |
100 - 498 | € 2,45 | € 4,90 |
500+ | € 2,35 | € 4,70 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot