Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET Transistors, Toshiba
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,45
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,278
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 3,45
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,278
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
---|---|---|
2 - 18 | € 3,45 | € 6,90 |
20 - 38 | € 3,05 | € 6,10 |
40 - 98 | € 2,65 | € 5,30 |
100 - 498 | € 2,50 | € 5,00 |
500+ | € 2,35 | € 4,70 |
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot