Toshiba TTC3710B,S4X(S NPN Transistor, 12 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS

RS tilauskoodi: 144-5244Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TTC3710B,S4X(S
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

12 A

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

30 W

Minimum DC Current Gain

120

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Maximum Operating Frequency

80 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

10 x 4.5 x 15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

NPN Power Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,35

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,674

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TTC3710B,S4X(S NPN Transistor, 12 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS

€ 1,35

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,674

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TTC3710B,S4X(S NPN Transistor, 12 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 1,35€ 6,75
25+€ 1,15€ 5,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

12 A

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

30 W

Minimum DC Current Gain

120

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Maximum Operating Frequency

80 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

10 x 4.5 x 15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

NPN Power Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba