Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,35
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 1,35
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,35 | € 6,75 |
25+ | € 1,15 | € 5,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot