Toshiba TTD1409B,S4X(S Dual NPN Darlington Transistor, 6 A 400 V HFE:100, 3-Pin TO-220SIS

RS tilauskoodi: 144-5246Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TTD1409B,S4X(S
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

6 A

Maximum Collector Emitter Voltage

400 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

100

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Maximum Collector Base Voltage

600 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10mm

Base Current

1A

Height

15mm

Width

4.5mm

Maximum Power Dissipation

25 W @ 25 °C

Dimensions

10 x 4.5 x 15mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

NPN Darlington Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,738

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,915

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TTD1409B,S4X(S Dual NPN Darlington Transistor, 6 A 400 V HFE:100, 3-Pin TO-220SIS

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,38
20€ 14,76
30€ 18,75
40€ 25,00
50€ 31,25
60€ 37,50
70€ 43,75
80€ 50,00
90€ 56,25
100€ 62,50
110€ 68,75
120€ 75,00
130€ 81,25
140€ 87,50
150€ 93,75

€ 0,738

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,915

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Toshiba TTD1409B,S4X(S Dual NPN Darlington Transistor, 6 A 400 V HFE:100, 3-Pin TO-220SIS
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,38
20€ 14,76
30€ 18,75
40€ 25,00
50€ 31,25
60€ 37,50
70€ 43,75
80€ 50,00
90€ 56,25
100€ 62,50
110€ 68,75
120€ 75,00
130€ 81,25
140€ 87,50
150€ 93,75

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 20€ 0,738€ 7,38
30+€ 0,625€ 6,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

6 A

Maximum Collector Emitter Voltage

400 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

100

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Maximum Collector Base Voltage

600 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10mm

Base Current

1A

Height

15mm

Width

4.5mm

Maximum Power Dissipation

25 W @ 25 °C

Dimensions

10 x 4.5 x 15mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

NPN Darlington Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja