IRF540PBF N-Channel MOSFET, 28 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay

RS tilauskoodi: 708-5143PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRF540PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

77 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.41mm

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.01mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,60

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 1,984

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

IRF540PBF N-Channel MOSFET, 28 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,60

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 1,984

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

IRF540PBF N-Channel MOSFET, 28 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
5 - 20€ 1,60€ 8,00
25+€ 1,30€ 6,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

77 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.41mm

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.01mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor