P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF9530SPBF

RS tilauskoodi: 145-1593Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRF9530SPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

3.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38 nC @ 10 V

Width

9.02mm

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,20

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 2,728

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF9530SPBF

€ 2,20

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 2,728

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF9530SPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
50 - 50€ 2,20€ 110,00
100 - 200€ 1,85€ 92,50
250+€ 1,75€ 87,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

3.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38 nC @ 10 V

Width

9.02mm

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor