Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5mm
Width
6.29mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
3.37mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,70
kpl (ilman ALV)
€ 2,11
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 1,70
kpl (ilman ALV)
€ 2,11
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta |
---|---|
1 - 9 | € 1,70 |
10 - 49 | € 1,35 |
50 - 99 | € 1,30 |
100 - 249 | € 1,20 |
250+ | € 1,15 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5mm
Width
6.29mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
3.37mm
Tuotetiedot