N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD110PBF

RS tilauskoodi: 541-1039Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRFD110PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

HVMDIP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5mm

Width

6.29mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

3.37mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,70

kpl (ilman ALV)

€ 2,11

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD110PBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,70

kpl (ilman ALV)

€ 2,11

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD110PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 1,70
10 - 49€ 1,35
50 - 99€ 1,30
100 - 249€ 1,20
250+€ 1,15

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

HVMDIP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5mm

Width

6.29mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

3.37mm

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor