N-Channel MOSFET, 4 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP Vishay IRFI620GPBF

RS tilauskoodi: 145-1683Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRFI620GPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,75

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 2,17

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 4 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP Vishay IRFI620GPBF

€ 1,75

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 2,17

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 4 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP Vishay IRFI620GPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
50 - 50€ 1,75€ 87,50
100 - 200€ 1,65€ 82,50
250+€ 1,55€ 77,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor