N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 3+Tab-Pin SOT-223 Vishay IRFL014PBF

RS tilauskoodi: 540-9733Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRFL014PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.7 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3+Tab

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7mm

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.45mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,43

kpl (ilman ALV)

€ 0,53

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 3+Tab-Pin SOT-223 Vishay IRFL014PBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,43

kpl (ilman ALV)

€ 0,53

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V, 3+Tab-Pin SOT-223 Vishay IRFL014PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 0,43
5 - 9€ 0,40
10+€ 0,37

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.7 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3+Tab

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7mm

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.45mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja