N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC Vishay IRFP460BPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,35
1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 4,154
1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
€ 3,35
1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 4,154
1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 3,35 | € 83,75 |
| 50 - 100 | € 3,15 | € 78,75 |
| 125+ | € 2,85 | € 71,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.