P-Channel MOSFET, 1.8 A, 400 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU9310PBF

RS tilauskoodi: 542-9967PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRFU9310PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.8 A

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

50 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.22mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,55

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 3,16

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 1.8 A, 400 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU9310PBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,55

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 3,16

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 1.8 A, 400 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU9310PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 14€ 2,55
15+€ 0,96

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.8 A

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

50 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.22mm

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja